Начало › Работодатели › Samsung Austin Semiconductor, LLC. › Principal Engineer
Principal Engineer в Samsung Austin Semiconductor, LLC.: H-1B заплати
7 заявки за условия на труд за длъжността Principal Engineer в Samsung Austin Semiconductor, LLC.. Медиана на предложената основна заплата $243 200; средна половина $229 396–$266 549.
Заявления (LCA)7
Медианна предложена заплата$243 200
Средна половина на заплатите$229 396–$266 549
10-и–90-и перцентил$199 355–$306 696
По финансова година
| Фискална година | LCA | Медианна заплата |
|---|---|---|
| ФГ2023 | 2 | $266 549 |
| ФГ2024 | 1 | $215 592 |
| ФГ2025 | 1 | $175 000 |
| ФГ2026 | 3 | $243 200 |
Заявки
| Основна заплата | Местоположение | Подадено | Начална дата | Статус |
|---|---|---|---|---|
| $341 578 Ниво IV | San Jose, CA | 12.06.2026 г. | 29.06.2026 г. | Сертифициран |
| $243 200–$364 800 Ниво IV | San Jose, CA | 22.05.2026 г. | 1.10.2026 г. | Сертифициран |
| $243 200–$364 800 Ниво IV | San Jose, CA | 22.01.2026 г. | 17.07.2026 г. | Сертифициран |
| $175 000–$250 000 Ниво IV | Austin, TX | 2.06.2025 г. | 1.10.2025 г. | Сертифициран |
| $215 592–$285 071 Ниво IV | San Jose, CA | 31.07.2024 г. | 31.07.2024 г. | Сертифициран |
| $283 442 Ниво IV | San Jose, CA | 25.07.2023 г. | 20.01.2024 г. | Сертифициран |
| $249 656 Ниво III | San Jose, CA | 5.07.2023 г. | 17.07.2023 г. | Сертифициран |
Principal Engineer при всички работодатели →
Други длъжности в Samsung Austin Semiconductor, LLC.
- Senior Engineer$124 530
- Engineer II$96 689
- Staff Engineer$172 931
- Senior Staff Engineer$204 901
- Engineer I$89 211
- Engineer$103 100
- Senior Engineer TR$121 451
- Staff Engineer I$145 000
Заплатите са долната граница на предложеното възнаграждение във всяко заявление, преобразувана в годишна сума; статистиката използва само удостоверени заявления за пълен работен ден. LCA не е одобрение на виза и едно LCA може да покрива няколко позиции. Източник: Министерство на труда на САЩ, данни за разкриване на LCA на OFLC, финансови години 2023–2026 (последно решение 30.06.2026 г.).