Αρχική › Επαγγέλματα › Materials Engineers › Boise, ID
Materials Engineers σε Boise, ID: Μισθοί H-1B
222 αιτήσεις εργασιακών όρων για αυτό το επάγγελμα με χώρο εργασίας σε Boise, ID. Διάμεσος προσφερόμενος βασικός μισθός $117.473. Μεσαίο ήμισυ $101.988–$131.718.
Ανά μισθολογικό επίπεδο
| Επίπεδο αμοιβής | Διάμεσος μισθός |
|---|---|
| Επίπεδο I (εισαγωγικό) | $94.998 |
| Επίπεδο II (ειδικευμένο) | $104.987 |
| Επίπεδο III (έμπειρο) | $120.000 |
| Επίπεδο IV (πλήρως ικανό) | $135.804 |
Το Υπουργείο Εργασίας ορίζει τέσσερα επίπεδα ισχύοντος μισθού για κάθε επάγγελμα και περιοχή, από Επίπεδο I (εισαγωγικό) έως Επίπεδο IV (πλήρως ικανός). Ο εργοδότης επιλέγει το επίπεδο που ταιριάζει στις απαιτήσεις της εργασίας.
Εργοδότες
| Εργοδότης | LCAs | Διάμεσος μισθός |
|---|---|---|
| Micron Technology, Inc. | 162 | $119.995 |
| Micron Idaho Semiconductor Manufacturing (Triton) LLC | 29 | $110.000 |
| Applied Materials, Inc | 8 | $108.218 |
| Lam Research Corporation | 6 | $103.990 |
| Asm America Inc. | 5 | $93.100 |
| Tokyo Electron America, Inc. | 4 | $119.088 |
| KLA Corporation | 4 | $98.887 |
| Nova Measuring Instruments Inc. | 3 | $86.445 |
| Asml US, LP | 1 | $87.550 |
Ειδικότητες
- Semiconductor Process Engineer37
- Process Support Engineer8
- Field Process Engineer6
- Engineer - Cvd/diff Dram4
- Senior Semiconductor Process Engineer4
- Process Development Engineer4
- R&D Dry Etch Process Development Engineer3
- CMP Senior Process Engineer3
- Product Development Engineer3
- Snr Field Process Engineer I3
- Sr Engineer, Photo DRAM3
- Application Scientist2
- R&D Photolithography Process Development Engineer2
- Engineer-Dry Etch-DRAM/EM2
- Field Applications Engineer2
Οι μισθοί αντιστοιχούν στο κατώτατο όριο της προσφερόμενης αμοιβής σε κάθε αίτηση, μετατραπέντες σε ετήσιο ποσό· τα στατιστικά στοιχεία χρησιμοποιούν μόνο πιστοποιημένες αιτήσεις πλήρους απασχόλησης. Η LCA δεν είναι έγκριση βίζας και μία LCA μπορεί να καλύπτει πολλές θέσεις. Πηγή: Υπουργείο Εργασίας ΗΠΑ, δεδομένα γνωστοποίησης LCA OFLC, οικονομικά έτη 2023–2026 (τελευταία απόφαση 30 Ιουν 2026).