Data Gaji H1B

Beranda › Pemberi Kerja › Samsung Austin Semiconductor, LLC. › Principal Engineer

Gaji H-1B untuk Principal Engineer di Samsung Austin Semiconductor, LLC.

7 aplikasi kondisi tenaga kerja untuk jabatan Principal Engineer di Samsung Austin Semiconductor, LLC.. Gaji pokok median yang ditawarkan $243.200; setengah tengah $229.396–$266.549.

Lamaran (LCA)7
Median gaji yang ditawarkan$243.200
Setengah bagian tengah gaji$229.396–$266.549
Persentil ke-10 hingga ke-90$199.355–$306.696

Berdasarkan Tahun Fiskal

Tahun FiskalLCAMedian Gaji
FY20232$266.549
FY20241$215.592
FY20251$175.000
FY20263$243.200

Aplikasi

Gaji PokokLokasiDiajukanTanggal MulaiStatus
$341.578
Level IV
San Jose, CA12 Jun 202629 Jun 2026Tersertifikasi
$243.200–$364.800
Level IV
San Jose, CA22 Mei 20261 Okt 2026Tersertifikasi
$243.200–$364.800
Level IV
San Jose, CA22 Jan 202617 Jul 2026Tersertifikasi
$175.000–$250.000
Level IV
Austin, TX2 Jun 20251 Okt 2025Tersertifikasi
$215.592–$285.071
Level IV
San Jose, CA31 Jul 202431 Jul 2024Tersertifikasi
$283.442
Level IV
San Jose, CA25 Jul 202320 Jan 2024Tersertifikasi
$249.656
Level III
San Jose, CA5 Jul 202317 Jul 2023Tersertifikasi

Principal Engineer di semua pemberi kerja →

Jabatan lain di Samsung Austin Semiconductor, LLC.

Gaji adalah batas bawah dari upah yang ditawarkan pada setiap aplikasi, dikonversi menjadi jumlah tahunan; statistik hanya menggunakan aplikasi penuh waktu yang tersertifikasi. LCA bukan persetujuan visa dan satu LCA dapat mencakup beberapa posisi. Sumber: Data Pengungkapan LCA OFLC, Departemen Tenaga Kerja AS, tahun fiskal 2023–2026 (keputusan terbaru 30 Jun 2026).