Начало › Професии › Materials Engineers › Boise, ID
Materials Engineers в Boise, ID: H-1B заплати
222 заявки за условия на труд за тази професия с работно място в Boise, ID. Медиана на предложената основна заплата $117 473; средна половина $101 988–$131 718.
По ниво на заплащане
| Ниво на заплащане | Медианна заплата |
|---|---|
| Ниво I (начално) | $94 998 |
| Ниво II (квалифициран) | $104 987 |
| Ниво III (опитен) | $120 000 |
| Ниво IV (пълнокомпетентен) | $135 804 |
Министерството на труда определя четири нива на преобладаваща заплата за всяка професия и регион, от Ниво I (начално) до Ниво IV (пълна компетентност). Работодателят избира нивото, което отговаря на изискванията за длъжността.
Работодатели
| Работодател | LCA | Медианна заплата |
|---|---|---|
| Micron Technology, Inc. | 162 | $119 995 |
| Micron Idaho Semiconductor Manufacturing (Triton) LLC | 29 | $110 000 |
| Applied Materials, Inc | 8 | $108 218 |
| Lam Research Corporation | 6 | $103 990 |
| Asm America Inc. | 5 | $93 100 |
| Tokyo Electron America, Inc. | 4 | $119 088 |
| KLA Corporation | 4 | $98 887 |
| Nova Measuring Instruments Inc. | 3 | $86 445 |
| Asml US, LP | 1 | $87 550 |
Длъжности
- Semiconductor Process Engineer37
- Process Support Engineer8
- Field Process Engineer6
- Engineer - Cvd/diff Dram4
- Senior Semiconductor Process Engineer4
- Process Development Engineer4
- R&D Dry Etch Process Development Engineer3
- CMP Senior Process Engineer3
- Product Development Engineer3
- Snr Field Process Engineer I3
- Sr Engineer, Photo DRAM3
- Application Scientist2
- R&D Photolithography Process Development Engineer2
- Engineer-Dry Etch-DRAM/EM2
- Field Applications Engineer2
Заплатите са долната граница на предложеното възнаграждение във всяко заявление, преобразувана в годишна сума; статистиката използва само удостоверени заявления за пълен работен ден. LCA не е одобрение на виза и едно LCA може да покрива няколко позиции. Източник: Министерство на труда на САЩ, данни за разкриване на LCA на OFLC, финансови години 2023–2026 (последно решение 30.06.2026 г.).